儀器簡介

電感耦合等離子刻蝕設(shè)備，通過等離子體輝光放電將反應(yīng)氣體分解，產(chǎn)生的等離子體在電場的加速作用下移動到樣品表面，對樣品表面進行刻蝕作用。

性能指標(biāo)

6"及以下wafer、chip；刻蝕均勻性±3%（6"wafer）；刻蝕精度：0.01um

應(yīng)用范圍

主要用于Si、SiO2、SIN 、graphene，ITO、Al2O3、GaN、GaAs、InGaAs等材料的干法刻蝕。

工藝圖：

0.3um 石英孔鏈

光學(xué)硅透鏡器件

淺硅槽刻蝕